Главное меню

Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом

Структура биполярного транзистора микросхемы рассмотрена на рис.15. Схема технологического процесса представлена в графической части (лист – 3).

Рис.15. Упрощенная структура кристалла

Заключение

В данной работе произведен анализ функционирования ИМС, рассчитаны элементы схемы и разработаны топология кристалла и конструкция микросхемы, что позволяет изготовить рабочие фотошаблоны.

Разработан технологический процесс изготовления кристалла. При разработке технологического процесса большое внимание обращалось на безопасность труда и уменьшение влияния техпроцессов на окружающую среду.

Другое по теме:

Цифровой блок управления электроприводом
Номер зачетной книжки 20001484 Элементная база: ТТЛ Диапазон изменения угла поворота: a=150+5n±5=165 - 175 кодовых импульсов Относительный световой ток фотодиода: IC / IT = 5+n=9 Относительная амплитуда помехи: IП / IC = 0,1 Номина ...

Copyright © www.techproof.ru