Главное меню

Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом

Структура биполярного транзистора микросхемы рассмотрена на рис.15. Схема технологического процесса представлена в графической части (лист – 3).

Рис.15. Упрощенная структура кристалла

Заключение

В данной работе произведен анализ функционирования ИМС, рассчитаны элементы схемы и разработаны топология кристалла и конструкция микросхемы, что позволяет изготовить рабочие фотошаблоны.

Разработан технологический процесс изготовления кристалла. При разработке технологического процесса большое внимание обращалось на безопасность труда и уменьшение влияния техпроцессов на окружающую среду.

Другое по теме:

Гироскопическая курсовертикаль
Состав 1. Гироскопический агрегат состоит из следующих основных узлов: 1) трех гироскопических узлов одинаковой конструкции; 2) корректирующего устройства; 3) трех датчиков дистанционной передачи; 4) разгрузочных электродвиг ...

Copyright © www.techproof.ru