Главное меню

Пример расчета фильтра нижних частот на заданные параметры

Вычисляем величины единичной индуктивности и единичной емкости исходного звена типа .

, ,

Рисунок 10 – Расчетные соотношения для П-образного звена типа 1В1н фильтра нижних частот.

Учитывая составленную полную принципиальную схему фильтра нижних частот (см. рисунок 8), рассчитываем номинальные величины элементов каждого звена схемы. Звено типа 1В1н рассчитывается следующим образом:

Зная коэффициенты и можно рассчитать элементы всех звеньев (рисунок 10), учитывая при этом, что для каждого звена требуются свои значения m, а значения и постоянны для всех звеньев. Расчет дается для одного типового промежуточного звена и оконечного полузвена. Значения элементов остальных звеньев сведены в таблице 3.

Расчет промежуточного полузвена

,,,

,

,

,

Сразу же проверяем резонансную частоту контура, значение которой должно совпадать со значением частоты бесконечного затухания при том же значении m.

()

Таблица 3

звена

Расчетный

коэффициент

,

кГц

0,31642

1,4099

0,63284

0,8974

1973,8

442,97

119,65

0,19862

2,4181

0,39742

0,56329

3385,22

278,06

115,31

Расчет оконечного полузвена.

Четвертое звено состоит из двух полузвеньев, включенных на входе и на выходе фильтра. Для того, чтобы рассчитать номинальные величины Г-образных полузвеньев по приведенным формулам, необходимо пересчитать величину , так как оконечные полузвенья образуются путем деления пополам Т-образного звена типа 2А1н (линия а-а на рисунке 11).

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

Другое по теме:

Разработка архитектуры, принципиальной схемы и конструкции специализированного микроконтроллера
Микропроцессорные интегральные схемы (МП ИС) и микро-ЭВМ, построенные на их основе, явились следствием бурного развития микроэлектроники, позволившего в одном кристалле полупроводника размещать сложные вычислительные структуры, содержащие десят ...

Copyright © www.techproof.ru